Detailed Product Description

Specification ( DDR2 800MHz Memory Module) :

1) DDR2 800MHz to 533MHz

2) 240-pin socket type dual in line memory module (DIMM)

3) Lead-free 1.8V power supply

4) Data rate: 800Mhz/667Mbps/533Mbps

5) 1.8V (SSTL-18 compatible) I/O

6) Double-data-rate architecture: two data transfers per clock cycle

7) Bi-directional, differential data strobe (DQS and /DQS) is transmitted/received with data, 

    to be used in capturing data at the receiver

8) DQS is edge aligned with data for reading: center aligned with data for writing

9) Differential clock inputs (CK and /CK)

10) DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions

11) Commands entered on each positive CK edge: data and data mask referenced to both edges of DQS

12) Four internal banks for concurrent operation (component)

13) Data mask (DM) for write data

14) Burst lengths: 4, 8

15) CAS latency (CL): 3, 4, 5

16) Auto precharge operation for each burst access

17) Auto refresh and self refresh modes

18) 7.8us average periodic refresh interval

19) Posted CAS by programmable additive latency for better command and data bus efficiency

20) Off-chip-driver impedance adjustment and on-die-termination for better signal quality

21) DQS can be disabled for single-ended data strobe operation